半導体装置、反射型液晶表示装置および反射型液晶プロジェクタ

Semiconductor device, reflective liquid crystal display device and reflective liquid crystal projector

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To make a pixel small in area without deteriorating noise resistance. <P>SOLUTION: A transistor 13 for switching and a capacitor 15 for signal storage are formed at every unit region of pixel Px on a first conductivity type semiconductor substrate 11 (base semiconductor region). The transistor 13 for switching is constituted in such a manner that a second conductivity type source region 13S and a drain region 13D are formed on the semiconductor substrate 11 and a gate electrode 13G is formed via an insulation layer 12a on the region between the source region 13S and the drain region 13D. The capacitor 15 for signal storage is constituted in such a manner that high density semiconductor regions 15D, 15S of the first conductivity type are formed on the semiconductor substrate 11 and an electrode 15G is formed via an insulation layer 12b on the region between the semiconductor regions 15D, 15S. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO
【課題】ノイズ耐性を劣化させることなく画素の小面積化を実現できるようにする。 【解決手段】第1導電型の半導体基板(下地半導体領域)11上に、画素Pxとなる単位領域ごとに、スイッチング用トランジスタ13および信号蓄積用キャパシタ15を形成する。スイッチング用トランジスタ13は、半導体基板11上に第2導電型のソース領域13Sおよびドレイン領域13Dを形成し、ソース領域13Sとドレイン領域13Dの間の領域上に絶縁層12aを介してゲート電極13Gを形成して構成する。信号蓄積用キャパシタ15は、半導体基板11上に第1導電型の高濃度の半導体領域15Dおよび15Sを形成し、半導体領域15D,15S間の領域上に絶縁層12bを介して電極15Gを形成して構成する。 【選択図】    図1

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    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-H06194690-AJuly 15, 1994Hitachi Ltd, Hitachi Process Comput Eng Inc, 日立プロセスコンピュータエンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所Liquid crystal light valve and projection type display formed by using the valve
    JP-H0933945-AFebruary 07, 1997Denso Corp, 株式会社デンソーImage display device
    JP-H10293323-ANovember 04, 1998Seiko Epson Corp, セイコーエプソン株式会社液晶パネルおよび液晶パネル用基板および電子機器並びに投写型表示装置
    JP-H1039332-AFebruary 13, 1998Seiko Epson Corp, セイコーエプソン株式会社液晶パネルおよび液晶パネル用基板並びに投射型表示装置
    JP-H1115021-AJanuary 22, 1999Seiko Epson Corp, セイコーエプソン株式会社液晶パネルおよび液晶パネル用基板および電子機器並びに投写型表示装置
    JP-S57115082-UJuly 16, 1982

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