多結晶シリコンの製造方法

Process for producing polycrystalline silicon

Abstract

【課題】プロセスの流れにおける自然発火性及び高沸点のジシラン濃度を低減すること。 【解決手段】(A)トリクロロシランを水素と反応させることにより、シリコンと、テトラクロロシラン及び式H n Cl 6-n Si 2 (式中、nは0から6までの値)で表されるジシランを含む流出混合物とを生成させる工程と、(B)800℃〜1200℃の範囲の温度で前記流出混合物及び水素を反応器に同時供給することにより、テトラクロロシランからトリクロロシランへの水素化及びジシランからモノシランへの転化をもたらす工程とを含む多結晶シリコンの製造方法である。 【選択図】図1
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the concentration of pyrophoric and high-boiling disilanes in process streams. <P>SOLUTION: This process for producing polycrystalline silicon comprises the steps of (A) reacting trichlorosilane with hydrogen thereby forming silicon and an effluent mixture comprising tetrachlorosilane and disilane described by formula H<SB>n</SB>Cl<SB>6-n</SB>Si<SB>2</SB>(where n is a value of 0 to 6) and (B) co-feeding the effluent mixture and hydrogen to a reactor at a temperature within the range of about 800 to 1,200°C thereby effecting hydrogenation of the tetrachlorosilane to trichlorosilane and conversion of the disilane to monosilanes. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

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Patent Citations (5)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-H01188414-AJuly 27, 1989Osaka Titanium Co LtdMethod for converting polymer to trichlorosilane in production of polycrystalline silicon
    JP-H06166512-AJune 14, 1994Hemlock Semiconductor Corp, ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーションSeparation of particulate silicon from by-product liquid stream containing silane
    JP-H09263405-AOctober 07, 1997Tokuyama Corp, 株式会社トクヤマProduction of mixture reduced in hydrogen chloride
    JP-S4840625-AJune 14, 1973
    JP-S5673617-AJune 18, 1981Osaka Titanium Seizo KkManufacture of trichlorosilane

NO-Patent Citations (2)

    Title
    JPN6012037911; MUI, J. Y. P. et al.: INVESTIGATION OF THE HYDROGENATION OF SiCl4 , 1981, i-viii, p. 1-18, 55-59, TABLE I-VII, MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
    JPN6012037914; 通商産業省工業技術院 サンシャイン計画推進本部: 昭和61年度サンシャイン計画 成果報告書概要集 , 1987, 目次,I-116〜I-120, 財団法人 日本産業技術振興協会

Cited By (5)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2010006689-AJanuary 14, 2010Mitsubishi Materials Corp, 三菱マテリアル株式会社Apparatus for producing trichlorosilane, and method for producing trichlorosilane
    JP-5358678-B2December 04, 2013電気化学工業株式会社ヘキサクロロジシランの回収方法およびその方法のためのプラント
    US-9238876-B2January 19, 2016Mitsubishi Materials CorporationMethod of washing polycrystalline silicon, apparatus for washing polycrystalline silicon, and method of producing polycrystalline silicon
    WO-2010073725-A1July 01, 2010三菱マテリアル株式会社Procede de lavage de silicium polycristallin, dispositif de lavage et procede de production de silicium polycristallin
    WO-2010116448-A1October 14, 2010電気化学工業株式会社Procédé de collecte d'hexachlorodisilane et installation pour la mise en oeuvre de ce procédé